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1. 多様なアクティブおよびパッシブ光電子部品を統合したSiPhチップ、3Dパッケージング技術、およびBroadcom 7nm DSPチップを採用 2. 温度、湿度、EMI干渉を含む最も過酷な外部動作条件に対応 3. 2線式シリアルインターフェース経由でアクセス可能な、高度な機能性と機能統合を提供 4. KP-FECを使用した500m G.652 SMFの最大リンク長 5. 最大850Gbpsのデータレート、消費電力<16W 6. デュアルMPO-12/APCコネクタを備えたホットプラグ対応OSFP 7. デジタル診断機能を内蔵 8. 3.3V電源電圧 9. OSFP MSAおよびCMIS、RoHS準拠 10. 8x106.25Gbps（53.125GBd PAM4）電気インターフェースおよび光インターフェースもっと見る
Generic互換の800GBASE-DR8 (2x400G DR4) OSFP Silicon Photonics (SiPh)フィン付きトップトランシーバーモジュールは、最大データレート850Gbpsをサポートします。 デュアルMPO-12 APCコネクタを使用し、シングルモードファイバー（SMF）上で500mの光ファイバーリンクを実現します。 QSFPTEK製 800GBASE-DR8 (2x 400GBASE DR4) OSFP LPOモジュールは、OSFP MSAおよびCMIS、8x106.25Gbps (53.125GBd PAM4)電気インターフェース、8x106.25Gbps (53.125GBd PAM4)光インターフェース、IEEE 802.3、RoHSに準拠しています。 800G光トランシーバーはDDM（デジタル診断モニタリング）機能をサポートし、動作パラメーターをリアルタイムで監視できます。 パルス振幅変調（PAM4）方式を採用したDR8 OSFPは、8x 106.25 PAM4を介して800 Gigabit Ethernetを実現します。 800G DR8 OSFPは、800 gigabit Ethernet、800Gから8x 100GBASE-DRまたは2x 400GBASE-DR4へのブレイクアウト、およびデータセンター相互接続に広く使用されています。
SiPhトランシーバーモジュールは、主要なフォトニクス および機能コンポーネントをSiPhチップに統合し、データセンターの最新ネットワークアーキテクチャにおける温度、湿度、EMI干渉など、最も過酷な外部動作条件に対応します。SiPhモジュールは高度な機能性と機能統合を提供し、2線式シリアルインターフェースを介してアクセスできます。
信頼性と高性能を備えた光トランシーバーを実現する当社のテストプログラムをご覧ください。
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シナリオ1: 800Gから800Gへの直接接続
シナリオ2: 800G - 2x 400GEブレイクアウト接続
シナリオ3：800Gから200GEへのブレイクアウト接続
800G OSFP 2DR4 SiPhモジュールはデュアルMPO-12/APCコネクタを備え、各コネクタはMTP/MPO-12 APC OS2 SMFを介して物理的に独立した400G DR4 OSFP/QSFP-DD/QSFP112モジュールに接続できます。これにより、ブレイクアウト光ファイバーケーブルを使用せずに、800Gから2x 400Gへのブレイクアウトリンクを実現できます。
シリコンフォトニクスモジュールは、シリコンベースの光電子集積技術により、高集積化、低コスト、低消費電力（従来のソリューションと比較して約40%削減）を実現します。高速・長距離伝送をサポートし、AIおよびデータセンターにおける高速相互接続に最適です。
8x電気レーンと8x光レーンを使用し、各レーンを100G PAM-4で変調します。出力側では、8x 106.25Gb/s電気信号を8x 106.25Gb/s光信号に変換します。受信側では、8x 100Gb/s光信号を8x 100Gb/s電気信号に変換します。
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互換性あり Generic
トランシーバーのタイプ GE-OSFP-800GSi-2DR4 | 500m | Dual MPO-12/APC
